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厂商型号

1N6159A 

产品描述

Diode TVS Single Bi-Dir 38.8V 1.5KW 2-Pin Case G

内部编号

253-1N6159A

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:280
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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1N6159A产品详细规格

规格书 1N6159A datasheet 规格书
XPackage 2G
包装 2Case G
配置 Single
方向类型 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散 1500 W
最大峰值脉冲电流 21.4 A
最大反向漏泄电流 5 uA
最大钳位电压 70.1 V
最大反向防区外电压 38.8 V
最小击穿电压 48.5 V
测试电流 25 mA
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
抗辐射 Yes
标准包装 Bulk
供应商封装形式 Case G
标准包装名称 Case G
最高工作温度 175
最小击穿电压 48.5
最大反向漏泄电流 5
最大钳位电压 70.1
Maximum Reverse Stand-Off Voltage 38.8
每个芯片的元件数 1
最大峰值脉冲电流 21.4
最低工作温度 -55
测试电流 25
引脚数 2
峰值脉冲功率耗散 1500
封装 Bulk
电压 - 钳位(最大) @ IPP 70.1V
安装类型 Through Hole
双向通道数 1
封装/外壳 B, Axial
供应商设备封装 Axial
电压 - 击穿(最小值) 48.5V
电压 - 反向隔离(标准值) 38.8V
应用范围 General Purpose
电源线保护 No
功率 - 峰值脉冲 1500W (1.5kW)
类型 Zener
电流 - 峰值脉冲( 10/1000μS ) 21.4A
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量 100
品牌 Microsemi
RoHS No

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